半導體硅
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產品特點
樣品介紹：此樣品是應用于半導體領域，樣品中間有一層晶圓。
工藝難點：晶圓表面太過光滑不能滿足下段工序的要求，由于晶圓面積太小，用其他方法對表面粗化比較困難。
等離子處理目的：用普樂斯真空等離子設備對樣品表面進行處理，利用特殊氣體電離產生的等離子與晶圓表面進行反應，同時利用等離子的物理反應，以達到晶圓表面的粗化。處理前后在顯微鏡下面可以明顯的觀察到粗化的效果。
工藝難點：晶圓表面太過光滑不能滿足下段工序的要求，由于晶圓面積太小，用其他方法對表面粗化比較困難。
等離子處理目的：用普樂斯真空等離子設備對樣品表面進行處理，利用特殊氣體電離產生的等離子與晶圓表面進行反應，同時利用等離子的物理反應，以達到晶圓表面的粗化。處理前后在顯微鏡下面可以明顯的觀察到粗化的效果。
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產品參數
注：以上參數僅供參考，本公司可能對相關產品參數進行調整，如有變動，恕不再另行通知。若有不明處，歡迎來電詢問。
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工作原理
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應用領域
快速反應，專業配合，精心打造服務生態鏈
1年質保，終身維護，提供配套服務
承諾到達現場的時限：昆山4小時，蘇州8小時，江浙滬24小時，其他區域48小時
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榮譽資質
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